功率半导体器件:原理、特性和可靠性 WORD 电子书

作者: Josef Lutz
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图书简介: 卢茨等编著的《功率半导体器件--原理特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。
《功率半导体器件--原理特性和可靠性》内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新的成果。本书是一本精心编著,并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版,必将有助于我国电力电子事业的发展。
《功率半导体器件--原理特性和可靠性》的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书,亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
 
《牛津大学研究生教材:固态缺陷理论(第2卷):绝缘体和半导体中缺陷的电子结构(英文)》开篇关于完美固体的几章(第一部分)只是定义符号、陈述假说以及不加证明地断言以后要用到的一些结果。其次,作者把注意力集中于绝缘体和半导体中点缺陷的性质。金属和高参杂半导体的行为与此非常不同,这是由于自由载流子的缘故,而且虽...
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卢茨等编著的《功率半导体器件--原理特性和可靠性》介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同...
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《牛津大学研究生教材:固体缺陷理论(第1卷):绝缘体和半导体中缺陷的电子结构》重点论述缺陷,它并不试图成为一部普通固体物理,初等量子力学或群论的教材。其次作者把注意力集中于绝缘体和半导体中点缺陷的性质。第三,作者强调了缺陷的电子性质。最后,《牛津大学研究生教材:固体缺陷理论(第1卷):绝缘体和半导体中缺陷的电...
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